单片机系统中法拉电容的数据保护研究

　　在测量、控制等领域的嵌入式系统应用中，常要求系统内部和外部数据存储器(RAM)中的数据在电源掉电时不丢失，重新加电时RAM中的数据能够保存完好[1]，以保证系统稳定、可靠地工作和数据信息处理的安全。这就要求对系统加接掉电保护措施。掉电保护可采用以下三种方法：

　　一是加接不间断电源。由于这种方法体积大、成本高，对单片机系统来说，不宜采用。

　　二是采用EEPROM来保存数据。但由于其读写速度与读写次数的限制，使得EEPROM不能完全代替RAM。

　　三是采用备份电池，掉电后保护系统中全部或部分数据存储单元的内容。

　　显然，上述第三种方法是比较可行的。实际应用中，往往采用内置锂电池的非易失性静态随机存取存储器(nonvolatile SRAM)。例如Dallas半导体公司的DS1225，由于采用锂电池作为存储器备份电源，数据可以完好保存10年以上。但这种方案的缺点是成本高，且锂电池会造成环境污染。

　　法拉电容也叫超级电容器，双电层电容，其体积小、容量大、电压记忆特性好、可靠性高。与充电电池相比,具有充电时间短、功率密度高、使用寿命长、低温特性好及无环境污染等优势[2]。在数据保护电路中采用法拉电容取代电池作后备电源,在提高系统可靠性、延长寿命、降低设备成本和维护成本等方面，有十分重要的意义。

　　本文将通过一个设计案例，具体介绍法拉电容在单片机系统的RAM数据保护中的应用，为嵌入式系统中RAM数据保护提供一种可行的参考方法。

　　某一采用UT6264C70LL作为RAM的单片机系统，在系统掉电后，要求RAM的数据后备时间达到5天。

　　1　 硬件设计

　　采用法拉电容作为RAM后备电源，法拉电容后备时间的典型计算公式为：

　　式中：C(F)为法拉电容的标称容量，Uwork(V)为电路中的正常工作电压，Umin(V)为电路能工作的最低电压， t(s)为电路中后备时间，I(A)为电路的负载电流。

　　UT6264CSC70LL的典型数据保持电流为1 μA，工作电压为5 V，数据保持所需电压最低为2 V。取0.1 F的法拉电容，计算得到RAM的数据后备时间为3.35天。而实际上，当RAM的电源电压降低时，其数据保持电流将减小，因而后备时间可以延长。

　　另外，电源出现波动时，RAM的片选引脚、写使能引脚及数据线端口也容易引入干扰或不正常的控制时序，从而破坏RAM中的数据。因此，需要通过电路设计，确保电源不正常时读写控制端口时序可控，从而增强RAM数据的安全。

　　电路原理图如图1所示。

　　当电源正常时，5 V电源VCC通过快速整流二极管D1给RAM(U2：UT6264)供电，并通过R1给法拉电容(C1：FM0H104Z)充电。掉电时，D1截止，法拉电容C1作为备份电源，通过R1为U2供电，保证RAM中数据不消失。