CMOS探测器在射线检测中的应用

　　1 CMOS探测器简介

　　射线检测技术利用X射线探测材料内部的不连续性，并在记录介质上显示出图像。随着技术的不断进步，射线检测从传统的以胶片为记录介质的照相方法不断扩展，形成了多种数字化射线检测手段，如底片的数字化处理技术(Film Digitisation)、射线实时成像技术(Radioscopy)、计算机射线成像系统(Computed Radiography)和射线数字直接成像检测技术(Direct Radiography)等[1]。实际应用中需要根据检测要求的分辨率和相对灵敏度选用合适的方法。相对于其它射线记录介质(如CCD、多晶硅等)，CMOS(互补的金属氧化硅)技术更具有性能优势。目前，CMOS探测器的最小像素尺寸可达39μm，检测精度较高，温度适应性好，结构适应性强。

　　较之庞大的增强器成像系统，CMOS射线扫描探测器(图1)结构小巧，内部芯片集成度高。较之CCD成像方式，CMOS的每个探测点都有自己的放大器进行单独配置。CMOS在其内部通过转换屏将接收到的射线转换为光线，直接与转换屏接触的探测点单元将光线转换为电子，每个探测点单元有自己的放大器将电信号放大，最后在探测器内对信号进行A/D转换，形成二进制编码传送到计算机。CMOS主要适用于20～320 kV射线能量，80/μm的空间分辨率，无几何放大情况下检测分辨率为6 lp/mm，检测图像达到4096级灰度。

图1 CMOS射线扫描探测器

　　2 CMOS探测器的检测应用

　　2.1 检测流程

　　由于CMOS射线探测单元排成线阵列，静止状态下只能得到射线透过被检物体而形成的投影图像中的一条线。为获取被检测物体的图像，需要进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的投影图像。获取检测图像时要求射线能量波动尽可能小且可长时间连续工作，因此笔者采用恒压式射线源(YX―LON MG325，最大电压320 kV，大焦点3.0 mm，小焦点2.O mm)。采用CMOS线性X射线扫描探测器进行射线检测的流程为：探测器配置及校准一确定透照方式，调节位置参数一相对运动，获取扫描图像一图像处理，缺陷分析。

　　2.2 检测工装设计

　　探测器的成像单元(线阵列)需要与射线束中心线良好匹配，不能出现相对位置倾斜和偏移等现象。因此，需设计合适的成像工装，以完成探测器的固定、位置调节及实现与检测工件的相对运动。工装要能方便地移入移出(筒形工件)，应具有一定的灵活性和较大的适应性(检测不同类型工件)。

　　本着简便、实用的原则，在已有射线实时成像系统基础上进行检测工装设计，即检测时将检测工件放在载物台上，可实现左右平移、绕垂直轴旋转等运动;探测器通过工装固定于射线实时成像系统增强器运动轴上，可实现垂直升降和前后平动。另外，探测器还可实现一定角度的旋转调节。通过与实时成像检测系统的有机结合，可实现多种类型工件的射线检测。此外，应用时对于工件还要设计固定定位工装。