测定晶体电光系数相对符号的一种简单方法一干涉法

    我们用一台干涉仪，以机械方法使光程发生变化，然后和晶体电光效应引起的的光程变化相比较，提供了时种确定晶体电光系数相时符号的简单方法。

    一、引言

    晶体的线性电光效应已得到广泛应用，如用来制作各种光学调制器、偏转器、Q开关和滤波器等。精确测量晶体的电光系数及确定其相对符号，对设计光学器件是十分必要的。从目前文献报道的情况看，测量晶体的高频电光系数多用光学外差技术^[1]，测量晶体低频电光系数的方法有半波电压法121、椭圆仪法^[3]、Maeh一Zehnder千涉系统[41和透过光束和反射光束干涉法^[5]等。

    半波电压法只能测量晶体个别的电光系数，透过光束和反射光束干涉法仍需在晶体上加比较高的电压才能进行测量，测量较小的电光系数是比较困难的。所以，目前测量晶体的低频电光系数，更多的是采用Mach-Zchnder干涉系统和椭圆仪相结合的方法^[6一9]。

    晶体的电光系数可分为主轴系数和交叉系数[10].γi.(i=l，2，3，j=1，2，3)称为主轴系数，γij，(i=l，2，3，j=4，5，6)称为交叉系数。利用Mach~Zehnden:干涉系统分离测量主轴电光系数是很方便的^[4.6]，用椭圆仪法测量交叉电光系数也很方便^[3]，椭圆仪还可以用来测量电光系数γe。，如3m点群晶体的γc=γ13一(ne/n0)³γ33。

    对于主轴电光系数的相对符号，大部分是将分离测量的结果和协的结果相比较，判定其相对符号^[6–8]。现在，我们介绍一种确定主轴电光系数相对符号的简单方法—干涉法。

    一二、实验装置、

    干涉法确定品体电光系数相对符号的实验装置如图1所示。其主要部件是一台改进

的泰曼干涉仪。在干涉仪分光板前插入一尼克尔棱镜，在干涉仪分光后的一束光路中置于一电光晶体，这束光的全反镜可用机械的方法前后移动，以改变两束光的光程差，两束光的干涉条纹用透镜放大。

    三、实验

    转动尼克尔棱镜，使He-He激光束的偏振方向与晶体的一电感应主轴方向一致，如mm2点群的晶体，沿Y方向通光，光的偏振方向平行于Z轴。在晶体的Z方向加电场，由于电光系数Ya，的作用，改变了两束光的光程差，两束光的干涉条纹，宏观看上去就发生了移动。再机械移动这束光的全反镜，改变两束光的光程差，干涉条纹同样也要移动。如果晶体电光效应引起干涉条纹移动的方向，与向远离分光板方向移动全反镜使干涉条纹移动的方向相同，则电光效应所引起的光程变化是增加了;反之是减少了。