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基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

作者: 胡爱华 来源:半导体技术 日期: 2024-11-22 人气:6
基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。

一种用于水听器电压检测的模拟前端电路

作者: 陈铖颖 黑勇 胡晓宇 来源:半导体技术 日期: 2024-07-11 人气:6
一种用于水听器电压检测的模拟前端电路
提出了一种用于水听器电压检测的模拟前端电路,包括低噪声低失调斩波运算放大器,跨导电容(gm-C)低通滤波器,增益放大器三部分主体电路;低噪声低失调斩波运算放大器用于提取水听器前端传感器输出的微弱电压信号;gm-C低通滤波器用于滤除电压信号频率外的高频噪声和高次谐波;最后经过增益放大器放大至后级模数转换器的输入电压范围,输出数字码流;芯片采用台积电(TSMC)0.18μm单层多晶硅六层金属(1P6M)CMOS.工艺实现。测试结果表明,在电源电压1.8V,输入信号25kHz和200kHz时钟频率下,斩波运放输入等效失调电压小于110μV;整体电路输出信号动态范围达到80dB,功耗5.1mW,满足水听器的检测要求。

基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究

作者: 肖含立 丁杰雄 华晨辉 陈栋 王宇翔 来源:半导体技术 日期: 2024-07-11 人气:12
基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究
基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法。提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra〈10 nm,腔体侧壁垂直度达83°。为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法。

超声换能系统电特性实验研究

作者: 姚钢 韩雷 来源:半导体技术 日期: 2024-07-04 人气:6
超声换能系统电特性实验研究
超声换能系统是引线键合设备的核心部件,对其工作特性的深入了解有助于理解引线键合过程。通过实验,观察分析了超声引线键合过程中不同劈刀安装长度对换能系统电流、电压及功率的影响,发现电流及功率在不同劈刀安装长度时有较为明显的变化。并进一步采用小波分析方法展现了电流信号在时频域内变化的细节情况,为充分了解换能系统电学特性提供了可靠依据和新的方法。

视频监控系统中报警分接器的设计

作者: 黄再银 李丽 来源:半导体技术 日期: 2023-04-06 人气:9
视频监控系统中,报警分接器的主要功能是接收报警传感器送来的报警输入信号,并将该报警信息按照一定的协议和波特率传送给监控系统主机.文章介绍了视频监控系统中报警分接器的设计方法,讨论了发送-接收芯片MAX483的性能特点及使用方法.

微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究

作者: 茅惠兵 忻佩胜 胡梅丽 赖宗声 来源:半导体技术 日期: 2023-02-16 人气:5
微机械微波/射频开关的制备和功能测量研究
讨论了微机械微波/射频开关的原理、制备工艺和功能测试.微机械接触式微波/射频开关的基本结构是微波共平面波导,在制备工艺中首先考虑的是工艺兼容性,为此选择以PECVD生长的氮化硅为悬臂梁,聚酰亚胺为牺牲层.功能测试表明,该工艺制备的微机械开关的执行电压只有25V,优于同类微机械开关的指标,同时它具有良好的响应特性.

用于CATV的DFB激光器同轴封装激光焊接技术研究

作者: 刘佳 刘赫 钱彬 张存善 王新桥 来源:半导体技术 日期: 2022-12-30 人气:6
用于CATV的DFB激光器同轴封装激光焊接技术研究
激光焊接技术广泛应用于光电子封装领域,它能形成很强的结合力,显示出无可比拟的优越性。但激光脉冲形状设置仍存在一定缺陷。研究了用于CATV的DFB激光器同轴封装激光焊接技术,利用Nd∶YAG激光焊接系统,在两种不同的激光脉冲形式下,对DFB激光器和光纤进行焊接,分析了焊点宽度、深度与激光脉冲的关系。通过推力实验,测得DFB激光器输出光功率的变化大小,验证焊点质量,得出实际生产中脉宽为5ms和2ms、电压为310V和360V的激光脉冲,从而提高了焊接质量和工艺水平。

半导体激光器单管准直实验研究

作者: 吴芃 刘媛媛 王晓薇 王翠鸾 韩淋 马骁宇 刘素平 来源:半导体技术 日期: 2022-12-30 人气:3
半导体激光器单管准直实验研究
利用高斯光束的ABCD传输矩阵理论分析了LD与自聚焦透镜之间的距离与出射光束远场光斑尺寸之间的关系。通过理论计算可以方便地得到最佳距离,获得较高亮度输出,并进行了实验验证。对平面自聚焦透镜、球面自聚焦透镜和圆柱透镜的准直效果进行了实验比较,最后将自聚焦透镜与LD固定,制做了实用的器件,该器件可以将LD椭圆形光斑转变成线形光斑,快轴、慢轴远场发散角分别为0.1°和2.5°,耦合效率86%。

主动锁模光纤激光器的锁相稳定方法

作者: 董姝敏 李尧 乔双 来源:半导体技术 日期: 2022-12-29 人气:7
主动锁模光纤激光器的锁相稳定方法
对主动锁模光纤激光器的锁相环路进行了改进,提出一种通过使用“变带宽锁相环”来改善主动锁模光纤激光器稳定性的方法。该方法主要依据信号误差电压实时控制环路的带宽,使环路带宽随锁定信号的频率差动态改变,以达到快速锁定信号的目的,从而提高锁模光纤激光器输出光脉冲的频率稳定性。利用Matlab软件的Simulink功能模块对其实效性进行了仿真验证。结果表明,采用该方法,锁相环的捕捉性能和跟踪性能提高了,主动锁模光纤激光器的工作稳定性得到进一步改善。

SiN薄膜三阶非线性增强的研究

作者: 宋江婷 郭亨群 王加贤 吴志军 王国立 沈海波 徐骏 陈坤基 王启明 来源:半导体技术 日期: 2022-12-29 人气:6
SiN薄膜三阶非线性增强的研究
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征。采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应。
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