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微机械气流式加速度计敏感机理的有限元分析

作者: 吕耀杰 朴林华 王义 来源:电子元件与材料 日期: 2024-08-07 人气:18
微机械气流式加速度计敏感机理的有限元分析
揭示了微机械气流式加速度计的敏感机理。采用有限元方法,分析了在不同加速度输入时敏感元件内的流场分布。结果表明,无加速度输入时,两热敏电阻处的气流速度相等,两热敏电阻上的电流相等,电桥输出为0;有加速度输入时,两热敏电阻处的气流速度之差随加速度变化而变化,引起两热敏电阻上电流之差也随之变化,电桥输出一个对应于加速度的电压。所述的方法为微机械气流式加速度计的结构优化设计提供了简单有效的途径。

MEMS微拾振器制备工艺研究

作者: 方华斌 刘景全 董璐 陈迪 蔡炳初 来源:电子元件与材料 日期: 2024-08-07 人气:9
MEMS微拾振器制备工艺研究
采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz,适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下,电压输出达562mV。

MEMS微拾振器制备的工艺研究

作者: 方华斌 刘景全 董璐 陈迪 蔡炳初 来源:电子元件与材料 日期: 2024-04-16 人气:8
MEMS微拾振器制备的工艺研究
采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz,适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下,电压输出达562mV。

YSB-Ag复合电极在氧传感器中的应用

作者: 陈江翠 林健 路顺 来源:电子元件与材料 日期: 2024-03-11 人气:12
YSB-Ag复合电极在氧传感器中的应用
通过在氧化物电极材料中引入适量导电性能优良的金属Ag,降低了氧化物电极的电阻,改善其氧敏响应特性;研究了YSB-Ag复合电极在氧化锆氧传感器中的应用。结果表明:这种复合电极具有较低的电阻值和很好的低温氧敏响应特性,在不使用加热装置条件下,氧传感器的起始工作温度可以降低至450℃左右,池内阻在100Ω以下。

温度传感器及其应用

作者: 范家诚 来源:电子元件与材料 日期: 2024-01-30 人气:21
温度传感器及其应用
温度传感器及其应用范家诚(成都国营第715厂成都610058)传感器作为机电设备、仪器仪表的"感官"器件,广泛应用于国民经济各领域及人们的日常生活中。从实际使用的情况看,在门类众多的传感器中较为突出的有力敏、热敏、光敏、(电)压敏、磁敏、气敏、湿敏等...

悬臂梁式硅微加速度计的研制

作者: 单光宝 阮晓明 姚军 耿增建 来源:电子元件与材料 日期: 2023-08-21 人气:4
悬臂梁式硅微加速度计的研制
介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟.采用体硅"无掩膜"腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制.通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构.为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片.利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装.经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10-3g,非线性<5×10-4,质量为9.6g.

c轴择优取向AlN薄膜的制备研究

作者: 宁金叶 刘兴钊 邓新武 来源:电子元件与材料 日期: 2023-01-04 人气:2
c轴择优取向AlN薄膜的制备研究
采用MOCVD法在蓝宝石(0001)单晶衬底上生长AlN压电薄膜。用XRD和原子力显微(AFM)技术表征薄膜的微观结构。研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AIN薄膜织构特性的影响,并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化。结果表明:在优化条件下制备的AIN薄膜高度C轴择优取向,(0002)峰摇摆曲线半高宽仅为0.100,且薄膜表面平整,椭圆偏振法测出其折射率为2.0~2.4。

应用于石墨烯MEMS高温压力传感器的气密封装研究

作者: 陈绪文 王俊强 吴天金 来源:电子元件与材料 日期: 2022-02-15 人气:128
应用于石墨烯MEMS高温压力传感器的气密封装研究
针对石墨烯MEMS高温压力传感器的高气密要求,设计了一种压膜结构压力传感器,并利用Au-Au键合完成压力传感器的封装。键合前,样品表面采用Ar等离子体预处理,随后在N2氛围下,利用倒装焊机在1.6 kN压力、300℃温度下键合30 min完成键合工艺。对键合指标进行表征测试,发现器件的最小剪切强度为10.87 MPa,最大泄漏率为9.88×10-4 Pa·cm3/s,均满足GJB 548B-2005的要求。在300℃下高温存储(HTS)10 h后,器件的平均剪切强度和泄漏率变化不大,通过传感器压力静态测试发现石墨烯器件在0~60 MPa压力量程内具备高重复性,证明石墨烯在键合过程和高温存储实验后没有变性。实验结果表明Au-Au键合可以完成石墨烯MEMS高温压力传感器高气密封装。

铝电解电容器中密封橡胶材料的阻隔性及影响机理研究

作者: 郭思琪 王景平 徐友龙 王学川 丁晓峰 钱鹏 丰骏 来源:电子元件与材料 日期: 2022-01-29 人气:86
铝电解电容器中密封橡胶材料的阻隔性及影响机理研究
电容器密封橡胶的特性对电容器寿命有重要影响。研究了硅橡胶密封胶片(SR)、丁基橡胶密封胶片(IIR)、三元乙丙橡胶密封胶片(EPDM)耐洗板水性能及对氯的阻隔性,并通过燃烧裂解与离子色谱联用、SEM表征、热重分析测试、溶胀测试分析影响机理。实验发现,硅橡胶(SR)对洗板水有很强的吸附性,15 min后,SR质量的增加超过150%,而三元乙丙橡胶(EPDM)和丁基橡胶(IIR)质量增量在50%左右。在阻隔性测试中,IIR表现出了良好的对氯的阻隔性,EPDM次之,SR最差。通过扫描电镜(SEM)、热重分析仪对密封橡胶的断面结构、填料添加量及热稳定性进行研究,发现EPDM和IIR含有大量的无机填料,这可能是两者阻隔性好的主要原因之一。在150℃的温度范围内,EPDM在升温的过程中失重最小,热稳定性最好,SR次之,IIR失重最多。

高性能有机硅密封胶的研究

作者: 张青 侯陈睿 王谊 来源:电子元件与材料 日期: 2022-01-21 人气:148
高性能有机硅密封胶的研究
电子元器件向着微型化、高集成化方向发展,对有机硅密封胶的性能提出了新的要求。为了提高其粘结强度、阻燃性能、机械性能和电气绝缘性能,以γ-(2,3环氧丙基)丙基三甲氧基硅烷(KH560)和羟基丙烯酸酯改性MQ硅树脂制得硅烷聚合物为增粘剂,乙烯基硅油为基料,含氢硅油为交联剂,气相白炭黑、硅微粉和氢氧化铝为补强材料,铂金复合体系为催化抑制剂,制备了有机硅密封胶,并研究不同组分对密封胶性能的影响。研究结果表明,当硅乙烯基∶硅氢的摩尔比为1∶1,MQ硅树脂的添加量为20%(以乙烯基硅油的质量分数为基准,下同)、增粘剂为1.5%、气相白炭黑为6%、硅微粉为20%、氢氧化铝为30%时,制备的有机硅密封胶综合性能优异,其剪切强度为4.72 MPa,拉伸强度为4.91 MPa,断裂伸长率为146%,阻燃性能达到V-0级,相比电痕化指数为600 V,完全可以满足电子元器件的发展对密封胶...
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