采用MOCVD法在蓝宝石（0001）单晶衬底上生长AlN压电薄膜。用XRD和原子力显微（AFM）技术表征薄膜的微观结构。研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AIN薄膜织构特性的影响，并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化。结果表明：在优化条件下制备的AIN薄膜高度C轴择优取向，（0002）峰摇摆曲线半高宽仅为0．100，且薄膜表面平整，椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2．4。

介绍了MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）液态源金属有机物化学气相沉积设备，研究设计了基于PLC和触摸屏的全自动气动控制回路，实现了对装置中气动元件的自动控制。该方法提高了MOCVD设备的自动化控制水平和安全可靠性，确保了工艺的重复性和稳定性。