微波成像仪热设计及仿真验证
某星载微波成像仪内部单机发热量大且单机安装密集,同时因其在星上布局限制导致散热条件恶劣。为确保成像仪内部各单机满足温度指标要求,保证微波成像仪正常在轨工作,基于多个空间热环境工况开展轨道外热流分析,通过合理散热路径设计,采取主被动结合方法进行热控设计。运用Thermal Desktop软件对热控方案进行热仿真验证,并将得到的温度场数据映射到有限元模型中进行天馈系统结构热变形仿真计算。结果表明,单机温度水平符合成像仪温控要求,天线反射面变形较小,满足设计要求。
Al-Mg-Si-Cu-Mn-Cr合金均匀化退火工艺研究
采用光学显微镜(OM)、差示扫描量热分析(DSC)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)等分析方法研究了Al-Mg-Si-Cu-Mn-Cr合金铸锭的均匀化退火工艺。试验结果表明,该合金铸态组织中存在大量的非平衡低熔点共晶相,其初始熔化温度为574℃;合金铸态组织相组成包括α—Al、Mg2Si、Al15(Fe,Mn,Cr)3Si2及少量含Cu相;随着均匀化退火温度的升高和保温时间的延长,低熔点共晶相逐渐溶入基体;该合金铸锭适宜的均匀化退火工艺制度为560℃(4h-6h)。
石英弹簧热天平在热分析中的应用
介绍获实用新型专利(ZL00247922.2)的石英弹簧热天平的结构原理和特性.通过有关测试结果表明,本装置除具有现在商业化热天平性能外,还独具反应气氛适应性广、操作简单、工作温度高、耐腐蚀性强等优良性能.
光谱成像仪CCD组件的稳态/瞬态热分析与验证
针对光谱成像仪CCD器件温度过高产生的热噪声和暗电流会导致成像质量下降,对CCD组件进行了稳态/瞬态热分析。采用有限元数值分析方法,建立了CCD组件传热的数值模型。根据CCD组件的结构特点和导热路径,应用有限元热分析软件IDEAS-TMG建立了有限元热分析模型,在给定温度边界条件下对CCD组件进行了稳态和瞬态仿真分析。给出了CCD组件的热响应性能、组件中关键部件的稳态温度分布云图以及随时间变化的瞬态温度曲线。稳态分析结果表明,CCD器件工作过程中的平均温度水平为27.1℃;瞬态分析结果表明CCD器件在工作时的升温速率为2.5℃/min,最高温度为37.8℃。验证试验结果与数值分析结果吻合较好,验证了数值分析的正确性和温度预示的有效性。稳态试验过程中CCD器件的温度为26.8℃,瞬态试验过程中温升速率为2.4℃/min。所获得的稳...
空间太阳望远镜主光学望远镜热效应分析
空间太阳望远镜(SST)直接对日成像,其1 m口径的主反射镜(MOT)接收到的上千瓦热量将严重影响望远镜的成像质量,因此必须进行热控设计以确保SST的性能。首先讨论了SST主镜筒内的热状况,分析了对日观测时主镜筒内的热流分布情况;然后根据SST轨道参数计算望远镜的空间轨道外热流状况;在此基础上提出了相应的热控措施,并使用热分析软件Sinda/G与Nevada计算了SST主镜筒温度分布;最后计算了SST主镜相应的热变形,对主镜镜面热变形采用Zernike多项式拟合,热变形精度小于λ/40(λ=633 nm),确保SST获取0.1″~0.15″的高分辨率成像目标,验证了SST主镜筒热控设计的有效性。
TGD_5000RH差示热天平及其应用
本文介绍TGD-5000RH差示热天平的主要组成,性能指标和进行差热分析与热重分析的原理并以分子筛和劣质煤的测定为例阐明该仪器的优良性能。
冷却方式对高温后水泥石物相组成的影响
借助X衍射分析(XRD)及综合热分析(TG-DTA)技术,研究了水泥石在高温(300~600℃)水冷后的物相组成变化。结果表明:高温后,不同条件下的水泥石除不同程度的脱水分解外,均出现了二次水化及严重碳化,其碳化程度由低到高为:自然冷却、水冷却、水冷后静置;破坏样中Ca(OH)_2和CaCO_3质量分数受Ca(OH)_2分解温度范围影响显著。
生物质锅炉过热器气相HCl腐蚀试验的动力学研究
模拟生物质锅炉过热器区的气相条件,对锅炉常用20G管材进行了腐蚀试验研究,运用化学动力学及热分析的基本原理对试验数据进行处理,得出了20G管材在气相HCl中腐蚀遵循的是二维扩散模式的结论,计算出反应的活化能和指前因子,得出腐蚀动力学表达式,分析了氯化腐蚀的过程和机理.
不同结构尺寸的电连接器的温度与振动分析
电连接器广泛应用于电路系统中,但是电连接器已经被广泛认为是电子元器件可靠性,工作寿命最难保证的器件之一,因此主要研究电连接器的主要影响因素对不同结构尺寸电连接器寿命的影响。利用ANSYS软件对相同接触面积不同结构尺寸的电连接器进行热分析和振动分析,得到了结构的温度分析云图和变形云图,并用傅里叶定律来验证热分析结果的正确性。研究结果为电连接器的温度分析和振动分析提供了参考依据,对保证电连接器的可靠性和安全性具有重要意义。
某设备标配和满配的散热分析
采用6 SigmaET模块对某设备进行热仿真分析,对其在55℃高温环境时,标配与满配状况以及对芯片等进行热仿真分析,比较两种情况下高温元器件是否存在不同,芯片最高温度的位置,从而对高温元器件进行重点跟踪和观察。