按国际标准ＩＳＯ４０３７研制的Ｋ荧光Ｘ参考辐射，性能基本符合该标准的要求，其能量范围为８．６４－９８．４ｋｅＶ。用校准过的薄窗电离室测量了参考辐射的量率。该参考辐射已用于校准Ｘ，γ剂量仪并剂量率仪并测定其能量响应。

介绍了现代X光电子能谱仪的激发源、能量分析器、传输透镜、电子检测器、荷电中和器等主要部件的结构特点。在此基础上介绍了仪器的主要性能指标灵敏度、能量分辨率等。简单介绍了考察电子能谱仪的方法。最后讨论了电子能谱仪的发展。

为提高多像素光子计数器（MPPC）的光子探测效率,量子效率和动态探测范围,研究了MPPC的光子探测性能,特别是光子分辨能力。以MPPC作为光子探测器件,采用半导体制冷降噪技术及信号外触发技术将其温度稳定在15℃,暗噪声降低为6.5×10-4count/pulse;采用统计学方法,利用泊松分布拟合MPPC输出信号。结果显示,衰减后的入射脉冲光强分布符合泊松分布的特性。根据MPPC的光子探测效率,分析计算出MPPC的能量分辨率;综合脉冲分布特性及能量分辨率,得出了入射到MPPC上的光脉冲能量的平均值。实验结果表明,MPPC在532nm波长下,能量分辨率为1.96×10-18 J;不同衰减倍率下,入射到MPPC的光脉冲平均光子数分别为1.665和4.201;显示MPPC具有光子分辨能力,适用于大动态范围的弱光探测。

金硅面垒探测器是^6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分，其参数直接影响整个夹心谱仪的性能。通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏压下的漏电电流、空气对α粒子的影响、金硅面垒的死层厚度、偏压对峰位和分辨率的影响，以及在180V偏压下各金硅面垒探测器的最大能量峰位。根据测量结果，选出了两组性能基本相同的金硅面垒探测器，将其组装成性能优良的^6LiF夹心谱仪效应探头和本底探头。

文章首先从理论上分析了共面栅极阳极技术电离室内部电势分布对其能量分辨率的影响；然后采用Ansoft Maxwell 3D程序建立了一个高气压充氙电离室灵敏探测体积内静电场的计算模型，分别计算了不同阳极丝数目、半径和位置下电离室内的电势分布；最后分析得出极丝数目、半径及其位置对该电离室能量分辨率的影响规律。结果表明，极丝数目越多，极丝直径越小且其位置距中轴距离越近时，该电离室的能量分辨率将越好。本研究将对相关类型探测器相关指标的优化设计提供参考。

叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能x射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流，采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm，灵敏面积分别为5mm^2、10mm^2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm^2的探测器在室温及温差电致冷条件下对拍Fe5．9keV x射线的能谱响应测量结果。

叙述了用平面工艺技术制备大面积Si带电粒子探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流，采用了表面钝化技术。文章分别给出了厚度300μm、灵敏区直径20mm以及厚度500Nn、灵敏区直径40mm探测器在室温下漏电流测量结果，以及探测器在室温条件下对241Am5．486MeVα粒子的能谱响应测量结果。