三维微结构制作技术是MEMS加工的关键技术之一.现有的三维微细加工技术主要有利用SU-8等光刻胶形成的以IC工艺为基础的硅三维微结构制作技术和以同步辐射X射线曝光为基础的LIGA技术.但是,在传统的去胶液中,SU-8光刻胶会膨胀变形,从而可能导致图形的失败.而LIGA技术需要昂贵的同步辐射光源和特制的LIGA掩模板,加工周期长.为此,基于反应离子深刻蚀技术,结合电镀工艺,提出了一种金属微结构的微加工制作方法,并进行了相应的实验.结果表明,该方法不仅可以制造出深宽比为6的微型金属螺旋线圈,还可以为其他非硅三维微结构的加工提供一定的技术支持.

介绍了利用光刻胶热熔法制作微透镜阵列这种简单、实用的技术。阐明了其原理、工艺流程、关键技术并给出了实验结果。结果表明，光刻胶热熔技术是一种简单、实用的微透镜阵列制作技术。本文的研究结果可为微透镜阵列的进一步研制及产业化提供参考。

采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺,在熔石英基片上成功地刻蚀出200 l /mm、线空比46、槽深70 nm、刻划面积60×20 mm2的浅槽矩形Laminar光栅.对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究.这一新工艺相对简单,降低了对干涉系统光学元件和全息曝光显影的严格要求.

为了提高可见光CCD图像传感器的填充因子从而提高CCD的信噪比,在石英基片上制作了516×516元的微透镜阵列.本文对石英微透镜阵列的制作工艺过程进行了详细讨论.最后的测量结果表明所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓和较好的几何尺寸均匀性.其实测有效孔径比可达到92.8%,极大提高了微透镜阵列的聚光效率.

研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪对其红外透过率进行了研究。结果表明：所制备亚波长结构整齐、规则；在8～12μm波段增透8％左右，起到良好的宽波段红外抗反射效果。