随着电子元器件向微型、高灵敏、集成等方向发展，薄膜材料及器件在微机电（MEMS）系统中得到广泛应用，而测量压电薄膜特性参数的方法与体材料相比有很大的不同。介绍了当前测量压电薄膜特性参数的两大类方法：直接测量法（包括气腔压力法、悬臂梁法、激光干涉法和激光多普勒振动法）和间接测量法（传统阻抗分析法），详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况及存在的问题，比较了这些方法的优缺点，并对未来压电薄膜特性参数的测试表征作了展望。

金属膜电阻器用的靶材是影响膜质量和电阻器性能的重要因素之一，晶粒细化是炼制致密性靶材的关键。晶粒细化不仅有利于Cr-Si靶材内部组织均匀化，且能降低其韧脆转变温度，从而使炼制的靶材强度和硬度高、塑性好，提高靶材的成品率。分析了晶粒细化提高靶材综合性能的原因，并介绍了研究中所采用的Ti细化剂、磁力搅拌等晶粒细化措施。实验表明，在RJ24生产线上溅射的1MΩ金属膜电阻器具有较好的性能，且电阻温度系数均小于20×10^-6／℃。

研究了（Bi2--xZnx）（Ti2--xNbx）O7（0．4≤x≤1．0）陶瓷材料的结构与介电性能。X-射线衍射结果表明，该组分体系在950～1100℃烧结，可得到单相立方焦绿石结构陶瓷。扫描电子显微镜观察样品形貌发现，x越大，晶粒尺寸越大。室温介电性能的测试表明，在1MHz条件下，随x值的增大，介电常数从218下降到122，损耗为（1～4）×10^-4。介电温谱测试发现，该组分体系在低温下出现明显的介电弛豫峰，峰形随x增大逐渐宽化。微波特性的测试表明，在谐振频率2～3GHz，样品的品质因数与谐振频率之积Q×f为112～158GHz。

采用脉冲激光沉积（PLD）法，在制备有SrRuO3底电极的SrTiO3（001）基片上生长高质量的NiFe2O4／Pb（Zr0.52Ti0.48）O3双层复合磁电薄膜。用X-射线衍射（XRD）对复合薄膜的微结构进行详细表征，结果表明，复合薄膜中NiFe2O4、Pb（Zr0.52Ti0.48）O3结晶良好，且具有单一的面外取向，φ扫描模式显示NiFe2O3、Pb（Zr0.82Ti0.48）O3均延SrTiO3（001）方向外延生长。磁电性能表征结果表明，由于界面应力效应的作用，复合薄膜的铁电性较单层Pb（Zr0.82Ti0.48）O3明显减弱，而铁磁性基本保持NiFe2O3的软磁特性。

以碳酸钡、碳酸锶、二氧化锡和二氧化钛等为原料，La2O3为掺杂剂，在不同温度下烧结，制得了Ba0．92Sr0．08Ti0．9Sn0．1O3（BSTS）系介质瓷。XRD结果表明，所有的BSTS试样都形成了单一的钙钛矿结构晶相，通过SEM分析了La2O3对试样的微观形貌的影响，发现La2O3的加入可有效地抑制晶粒的尺寸。测试了在1kHz频率条件下试样的电容量C、介质损耗因数D和-25～＋95℃试样的C和D，得到了试样的居里温度Tc及相对介电常数εr随温度的变化曲线。结果表明，在室温下，试样的εr随着La2O3加入量的增加，呈一直减小的趋势，介电损耗tanδ随着La2O3加入量的增加，则呈先减小后增加的趋势，Tc随着La2O3加入量的增加逐渐向低温区移动，介电常数变化率△ε／ε则随着La2O3加入量的增加而逐渐下降。最终得到烧结温度为1340℃，x（La2O3）=0．6％的Ba0.92Sr0.08Ti0.9Sn0.3O2介质瓷的εr最...

采用传统固相法制备（Na0.02K0.18）0.5Bi2.5TiO3无铅压电陶瓷粉体，将质量分数5％的乙基纤维素溶入到质量分数为92％的松油醇中配制粘合剂溶液，加入质量分数2％的二乙二醇丁醚醋酸酯作分散剂，质量分数1％的邻苯二甲酸二丁酯作增塑剂，将陶瓷粉体与粘合剂溶液按3：1的质量比混合碾磨，用320目筛印刷至带有Pt电极的氧化铝衬底上，经放平、烘烤、预烧、加压及烧结后，制备出厚度约40μm的BNKT厚膜，平均晶粒尺寸为1．1μm，介电常数也达到最大为782，损耗最小为3．6％（10kHz），剩余极化为24．8μC／cm。矫顽场为71．6kV／cm，纵向压电系数为79C／N。

研究了添加低熔点氧化物MoO3及N2／空气／O2气氛烧结对微波介质陶瓷Biz（Zn1／2Nb2／3）2O7（β-BZT）的结构和介电性能的影响。结果表明，烧结温度可降低100℃；样品的介电常数和品质因数随添加量增多而下降；掺杂MoO3的质量分数小于1％，样品均致密、显微形貌较好；MoO3添加量为0．050A时样品的介电常数约65，电容温度系数仅76×10^-6／℃，品质因数值可达943；氧分压对样品的显微形貌和介电性能也有影响。

采用在A1N缓冲层后原位沉积SiN掩膜层，然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1．7μm无裂纹的GaN薄膜，并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管（LED）外延片，其外延片的总厚度约为1．9μm。采用高分辨率双晶X-射线衍射（DCXRD）、原子力显微镜（AFM）测试分析。结果表明，GaN薄膜（0002）面的半峰全宽（FWHM）降低到403arcsee，其表面平整度得到了很大的改善；InGaN／GaN多量子阱的界面较平整，结晶质量良好。光致发光谱表明，GaN基LED峰值波长为469．2nm。

用传统造孔剂燃烧工艺（BURPS）法，以碳化淀粉造粒后为造孔剂，制备了不同孔率的锆钛酸铅（PZT）陶瓷，研究了孔隙率随造孔剂量变化规律，并对其介电性能和压电性能与孔隙率的关系进行了讨论。随着孔隙率的增加，材料介电常数降低和压电系数（d33）均减小，而材料的静水压压电系数、静水压电压常数（gh）、静水品质因数均增加。结合其微观结构初步讨论了产生影响的原因，并讨论了多孔PZT做水下超声应用的可行性。

采用1—3型复合结构，沿表面两个相互垂直的方向切割PMNT单晶陶瓷，在切槽间浇注环氧树脂，制备出新型的1—3型PMNT／环氧树脂压电复合材料。实验测试了复合材料的压电、介电、阻抗和超声回波特性，结果表明其厚度机电耦合系数达到0．75，声速2985m／s，声阻抗14．9MPa（sm^-3），脉冲回波中心频率0．95MHz，-6dB带宽88％，相对介电常数1423，介电损耗0．014。