在微机械高冲击传感器的测试过程中发现一种传感器芯片的严重失效问题．文中采用薄板弯曲的简化模型对该失效问题进行了初步研究,分析认为该失效是由于高冲击引起封装壳体变形使管芯承受放大了的应力，过大的应力导致芯片某些部位应力超过断裂强度而损坏．改进措施主要是通过完善壳体设计，合理增加厚度或减小壳体尺寸使壳体形变减小，从而减小由此给芯片带来的应力．

为适应高冲击和随机振动的使用环境，对由双轴石英加速度计构成的水平姿态测量装置，给出了基于三梁单岛悬臂梁结构和双梁单岛悬臂梁结构的加速度计支承结构和固有频率的设计方法，并对设计结果进行了有限元分析和振动冲击试验验证。结果表明：利用该设计方法设计的加速度计结构，对随机振动和高冲击的使用环境具有良好的环境适应性，能够承受持续时间3ms的110g。冲击和0～2kHz的随机振动，测量精度优于0．02°。

为了研究芯片抗高过载能力，本实验选取两种典型晶振芯片：EXO3、KSS，利用Hopkinson杆对其进行高g值冲击，以一维应力波理论估计芯片受到的加速度，并用运力学模型对其内部结构进行分析。结果表明：晶振的内部结构直接影响它的抗冲击性能；与应力波传播方向平行放置的晶振抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的晶振。