建立了矩形阵列高斯光束合成模型，采用数值模拟方法计算了光束间距、单元光束特性以及阵列结构等参数对非相干合成和同相位相干合成的远场峰值强度及光束质量的影响，描述了非同相位相干合成可能产生的结果，讨论了同轴与非同轴合成，相干与非相干合成的特点。结果表明：非相干和同相位相干合成时的光束质量随着单元光束的增多而变差，并且随着光束间距与单元光束束腰之比的增大而下降；而非同相位相干合成的结果较为复杂，可能产生完全相消干涉，合成光束“重心”离轴及束腰位置偏移等现象。分析认为：同轴合成可以获得最佳的光束质量，是值得采用的合成方式。此外，同轴相干合成优于非相干合成的充分条件是将单元光束之间的相位差控制在（-π／4，π／4）以内。

多层介质反射镜在非正入射的时候,两个不同的偏振态之间会产生不同的相移.通过优化设计,入射角为45°,在1285～1345 nm之间p,s波获得了270°±0.15°的相移和99.5%以上的反射率.对使用的膜系进行了每层光学厚度的误差分析.用离子束溅射技术制备相位延迟膜,在大气中对样品进行不同温度的退火,用分光光度计测试了光谱特性和用椭偏仪测试了相位特性.结果表明,未退火的样品在相应波段获得了267.5°±O.5°的相移和99.6%以上的反射率;根据拟合分析,最外层的误差和折射率与设计值的偏差是发生相移偏小的主要因素;随着退火温度的升高、折射率变小和物理厚度变大,相移将变小.

利用傅里叶模式理论分析了具有高衍射效率的全内反射式衍射光栅在TE和TM偏振态下的近场光分布特点，讨论了光栅结构参数以及入射角度对光栅内电场增强的影响。结果表明：全内反射光栅内部电场分布对偏振态较敏感，光栅槽深和占宽比对电场增强影响较小，光栅内的峰值电场随光栅周期增大而增大，并且峰值电场随着入射角度的增大而减小。在应用于高功率激光时，降低光栅内部的电场增强可以有效降低损伤风险。

研究了真空紫外到深紫外波段常用的基底材料，给出了常用基底材料的光学特性和在真空紫外波段的截止波长，测量了这些材料在120～500nm的透过率，给出了通过透过率计算弱吸收基底光学常数的计算方法，并用该方法得到了熔石英、氟化镁晶体、氟化钙晶体、氟化锂晶体在120～500nm的折射率和消光系数，对这些常用基底的使用范围和特点进行了一定的比较和分析，并将所得基底的光学常数与公开发表的文献进行了比较，证明了所得结果的可靠性。