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金属薄膜亚波长微结构的光束集束器件设计

作者: 王保清 郑臻荣 顾培夫 厉以宇 来源:光子学报 日期: 2023-06-30 人气:14
金属薄膜亚波长微结构的光束集束器件设计
利用时域有限差分方法,模拟了P偏振光高斯光束入射到金属银亚波长细缝与光栅结构的透射情况.由于表面等离子激元波的影响,对称光栅结构透射光呈现对称出射,而非对称结构可以实现小角度定方向的光束集束现象.借助公式推导法及Helmholtz互易定理,可设计出平行入射P偏振光的光束集束器件.由于高斯光束本身的发散性及近场分布的需要,针对高斯光束的器件在结构参量上缩小了12%.在对其他结构参量的优化的基础上,实现了针对633nm高斯光束的对称出射及光束集柬器件的设计.

可测温漂的偏振透反射分光光度计的设计

作者: 薛晖 李海峰 黄文标 顾培夫 来源:浙江大学学报(工学版) 日期: 2023-06-18 人气:17
可测温漂的偏振透反射分光光度计的设计
设计了一种新型的分光光度计来测量光学薄膜在任意角度下的温度漂移特性,包括其光学结构、机械结构和数据采集部分.通过偏振器自转实现了自动偏振特性校准功能,采用积分球旋转技术实现了任意角度反射率的测量,同时可以用于薄膜温度漂移特性的测试.分析了光源、环境光、样品厚度等引起的误差以及相应的解决方法.结果表明,此分光光度计可以用于高精度的薄膜特性测量.

基于光谱型白光干涉仪的绝对距离测试研究

作者: 薛晖 倪肖勇 沈伟东 章岳光 刘旭 顾培夫 来源:浙江大学学报(工学版) 日期: 2023-06-18 人气:16
基于光谱型白光干涉仪的绝对距离测试研究
采用微型光纤光谱仪记录宽波段(450~900nm)下的光谱干涉图,提出一种解包络线的方法来提取相位主值,同时由总光程差与棱镜折射率成正比的关系进行相位解包裹.由线性关系的斜率和截距分别求解得到棱镜的等效厚度和两参考镜之间的绝对距离.利用该方法测试了参考镜在不同位置处的距离,结果与千分尺数值之间的偏差小于1%,同时获得了99.9%的线性度.还测试了BK7玻璃的厚度,与其他方法相比,其精度达0.21%.分析了影响测试精度的因素,并对测距范围进行了讨论.

基于表面等离子激元的亚波长器件研究

作者: 王保清 郑臻荣 顾培夫 沈卫东 饶文萍 来源:浙江大学学报(工学版) 日期: 2023-06-18 人气:18
基于表面等离子激元的亚波长器件研究
基于不同金属材料表面等离子激元耦合激发的传播深度和传播距离,提出选择器件材料的标准,其中银表现出最佳的特性.以入射波长为1050nm的p偏振光为例,利用时域有限差分方法,模拟了p偏振光高斯光束入射到金属银亚波长狭缝与光栅结构的传播特性,证明这种结构具有透射增强及定向耦合输出功能.入射面光栅对输出光的主要贡献是透射增强,出射面光栅主要对输出光的远场分布特性产生影响,光栅凹槽数目和深度对透射增强作用具有最佳化参数,透射强度与亚波长狭缝深度之间的关系呈周期性变化特性.

宽波长宽角度偏振分光镜设计

作者: 顾培夫 刘旭 来源:光学仪器 日期: 2023-03-11 人气:5
宽波长宽角度偏振分光镜设计
简要介绍K9玻璃棱镜上宽波长宽角度偏振镜的设计,设计滤长为420~680nm,空气中的入射角变化范围为±4.5°。

用于450~750nm波长区的金属-介质消偏振分光镜

作者: 章岳光 顾培夫 来源:光学仪器 日期: 2023-03-11 人气:3
用于450~750nm波长区的金属-介质消偏振分光镜
介绍用于金属介质宽波段消偏振分光镜,对膜系设计制备方法和结果作了简要的分析讨论。

红外/毫米波二向色镜的设计与制备

作者: 章雪挺 顾培夫 来源:仪器仪表学报 日期: 2023-02-05 人气:2
红外/毫米波二向色镜的设计与制备
介绍了一维光子晶体技术在薄膜设计的应用,分析了IR/mmW二向色镜的基板材料和薄膜材料的选择原则,并利用一维光子晶体技术设计了中红外(3~5μm)波段的宽角高反射膜系,最后给出了实验制备工艺以及测试结果.

宽波长宽角度消偏振分光镜设计

作者: 李明宇 顾培夫 来源:激光与红外 日期: 2022-07-24 人气:2
宽波长宽角度消偏振分光镜设计
简要介绍K9玻璃棱镜中用金属介质膜系实现宽波长宽角度消偏振的设计,设计波长为420-680nm,空气中的入射角变化范围为±8°,膜系的透过率T和反射率R的平均偏离约为2.5%,S偏振分量和P偏分量的平均偏离约为1%。

沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

作者: 岑忞 章岳光 陈卫兰 顾培夫 来源:物理学报 日期: 2022-06-06 人气:588
沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响
采用ZYGOMarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体结构是否会对其应力造成影响.
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