碳化硅研抛加工过程中亚表面损伤的研究

简介

碳化硅抛光加工中极易出现表面/亚表面损伤,使其应用受限。基于研抛加工中脆性材料去除机理,建立亚表面损伤深度（SSD）的理论模型。利用有限元仿真模拟了单颗粒抛光加工的过程,分析了不同研抛参数（抛光速度、抛光深度和磨粒顶角）对SSD的影响。结果表明,当加工深度大于脆性材料临界切削深度时,材料去除主要是脆性模式;SSD随着磨粒顶角以及抛光深度的增大而增大,随着抛光速度的增加而减小,但是抛光速度过高会不利于亚表面损伤的控制。由于抛光过程中运动学特性,抛光速度对SSD的影响大于抛光深度和磨粒顶角。