光催化以其反应条件温和、能直接利用太阳能转化为化学能的优势,而备受科研人员的关注。如何拓展光谱吸收范围及阻止光生“电子–空穴”复合,是目前光催化研究领域的热点。本工作通过阳极氧化制备出非晶TiO2纳米管(TiO2NTs),利用机械液压法将熔融铟锡合金压入非晶TiO2中,得到In9.45Sn1/TiO2NTs,再经高温煅烧后得到ITO/TiO2NTs复合材料。实验对比了TiO2NTs、In9.45Sn1/TiO2NTs与ITO/TiO2NTs对去除水溶液中亚甲基蓝的光催化性能,在180 min光照下,ITO/TiO2NTs的降解效果最佳,降解效率达96.14%。利用紫外–可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)研究了TiO2NTs、In9.45Sn1/TiO2NTs和ITO/TiO2NTs的光吸附性能,ITO/TiO2NTs的吸光度最强。结合瞬态光电流响应、光电流密度电势、电化学阻抗谱和Mott-Schottky测试结果可知,ITO/TiO2NTs比TiO2NTs具有更高的电荷转移能力和供体密度,抑制了空穴和电子的复合,从而增强光...

钇铝石榴石Y_3Al_5O12(Yttrium Aluminum Garnet,简记为YAG)材料具有优异的光、热和电学性能,引起了广泛关注。但高熔点和冷却过程中复杂的相选择机制,使YAG熔体特别是熔点以下过冷区内的热物理性能参数获得困难。利用自主搭建的气动悬浮无容器激光加热装置,基于受迫振动和光学描影等原理,在1750~2650 K宽达900 K的温区内,评测了YAG熔体的黏度、表面张力和密度。研究表明,与Al_2O_3熔体相比,YAG熔体密度具有更高的温度敏感性,具有高约1倍的平均线膨胀系数;不同于表面张力随温度变化不敏感的Al_2O_3熔体,YAG熔体的表面张力随温度升高产生略微降低;与Al_2O_3熔体的黏温关系相比,在熔点以下的过冷区内发现YAG熔体具有更陡峭的黏温变化趋势。

磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料。InP由于性能优异,在高频电子器件及红外光电器件领域的应用日趋增多。目前,磷化铟器件的价格远高于砷化镓器件,其主要原因是磷化铟单晶成品率低,以及晶圆尺寸较小造成外延和器件工艺成本居高不下。增大InP单晶的直径对降低晶圆及半导体工艺成本至关重要。制备大尺寸InP单晶的主要难点是提高晶体的成品率和降低晶体的应力。目前行业内通常使用垂直梯度凝固(Vertical gradient freeze,VGF)法和液封直拉(Liquid Encapsulated Czochralski,LEC)法制备InP。VGF法在制备6英寸(15.24 cm)InP方面鲜有建树,LEC法制备的晶体往往具有更高的应力和位错密度。本研究展示了半密封直拉(Semi-Sealed Czochralski,SSC)法在生长大直径化合物半导体材料方面的优势,采用数值模拟方法分析了LEC法和SSC法中熔体、晶体、氧化硼和气氛中的温度分布,重点...

采用直流磁控溅射技术制备不同金属过渡层（Cr,Ti,W）的类石墨非晶碳膜（GLC）,研究过渡层类型对非晶碳膜微结构的影响,并考察其在人工海水中摩擦性能的变化。研究结果表明：Cr/GLC薄膜sp2杂化键含量最高,沿GLC表面到铬碳界面方向,sp2杂化键含量逐渐增大,Ti过渡层和W过渡层的sp2杂化键含量变化不明显。Cr/GLC薄膜较高的sp2杂化键含量有助于其在摩擦过程中产生可以充当润滑相的石墨化转化摩擦转移膜。在三种涂层中,Cr/GLC薄膜表现出最高的腐蚀电位–0.16 V和最低的腐蚀电流密度4.42？10–9 A/cm2。因此相较于Ti,W作过渡层的GLC薄膜,Cr/GLC薄膜在海水环境下表现出优异的摩擦学特性。