电子轰击型离子源磁场方向的探讨
本文报道对尼尔型离子源的改进试验,并对有关机理进行了一些探讨
热电子轰击气体离子源若干结构与工艺问题
本文仅对热电子轰击气体离子源设计中有关结构和工艺方面存在的若干问题进行了论述,并通过离子轨迹模拟实验和离子源结构调节实验定性定量地阐明了离子源电极的数量、形状、几何尺寸及电参数对离子源性能的影响。同时,给出了部分图形和数据,供离子源设计者参考。
高分辨电喷雾离子源三级四极杆-飞行时间质谱仪的研制
报道了实验室研制的电喷雾离子源,具有射频四极杆接口的高分辨飞行时间质谱(ESI-QQQ-TOFMS)仪器.该仪器具有以下特点在离子调制区使用三组四极杆,有效地减少离子束的空间分散和能量分散;采用正负双脉冲推斥和离子垂直引入方式;经过优化设计的二级有网反射器;新颖的MCP安装方法.经初步调试,该仪器的分辨本领已优于10,000,质量测定精度优于10×10-6.该仪器于2002年6月通过了国家教育部科技成果鉴定[鉴字[教2002]第008号],其主要性能指标已经达到了国际先进水平.
微型化离子迁移谱仪研究进展
离子迁移谱技术(iMS)是从上世纪70年代发展起来的一项痕量气态物质探测技术。基于该技术的离子迁移谱仪具有结构简单,检测速度快、可以工作在大气环境下等优点,在微型化便携式应用中有巨大的发展潜力。通过参考国内外相关文献,着重从离子源、高场非对称离子迁移谱技术(FAIMS)和离子捕获装置三个方面对微型化离子迁移谱仪的研究现状进行了分析和探讨,并对该领域未来的研究方向和发展趋势提出了一些看法。
污染对四极质谱计性能的影响
本文就四级质谱计污染对性能的影响进行了详细研究,分析了污染产生的过程,给出了污染前后离子源特性的变化;并对四极杆污染后离子工作点的变化进行分析计算,由此得出污染子注传输性能的影响,最后提出了克服和减污染影响的方法。
MEMS质谱仪研究综述
近年来,小体积、低功耗、价格低廉、使用方便的MEMS质谱仪成为了质谱领域的研究重点和热点。目前国外对MEMS质谱仪及其相关技术的研究已取得了一些成果,甚至研发出了较为完整MEMS质谱仪。但是整体而言,MEMS质谱仪的性能还很低,其研究主要还处于对其元件分别进行微型化的阶段。其中,MEMS离子源以对电喷雾离子源的研究为主;MEMS质量分析器以对离子阱的研究为主;MEMS离子检测器以对法拉第筒的研究为主。本文总结了MEMS质谱仪的最新成果,同时分析了可能面临的问题。
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