在实验室模拟TSCR＋固态渗氮工艺试制了高磁感取向硅钢。试验结果表明,初始氮质量分数为0.003 4%～0.008 4%试验钢,采用MgO涂层中添加MnN的方式进行固态渗氮后钢中氮质量分数为0.014 6%～0.016 4%;不经渗氮的脱碳板在试验退火条件下没有发生二次再结晶,渗氮后脱碳板的二次再结晶开始温度约为980℃;二次再结晶前初次晶粒约为23μm,渗氮后在高温退火阶段形成的AlN起到了抑制初次再结晶晶粒长大的作用;试验钢的磁性波动较大;其中最好磁性能B8达到1.928T,P17/50达到1.174W/kg。TSCR＋固态渗氮工艺生产高磁感取向硅钢是可行的。

采用MOCVD法在蓝宝石（0001）单晶衬底上生长AlN压电薄膜。用XRD和原子力显微（AFM）技术表征薄膜的微观结构。研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AIN薄膜织构特性的影响，并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化。结果表明：在优化条件下制备的AIN薄膜高度C轴择优取向，（0002）峰摇摆曲线半高宽仅为0．100，且薄膜表面平整，椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2．4。