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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造

作者: 沈珮 张万荣 金冬月 谢红云 来源:电子与信息学报 日期: 2024-11-21 人气:5
SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

缩短微机械圆盘谐振器缝隙的电极移动法

作者: 邓成 鲍景富 杜亦佳 赵兴海 来源:电子与信息学报 日期: 2024-06-19 人气:15
缩短微机械圆盘谐振器缝隙的电极移动法
针对现有微机械(Micromechanical,也称MEMS)圆盘谐振器串联动态电阻过大的问题,该文提出了电极移动法,将其它MEMS器件的可调性能引入MEMS圆盘谐振器,在现有最窄缝隙工艺条件下实现了电极-圆盘缝隙的进一步缩减,降低了串联动态电阻。该文给出了悬置电极的设计方法,推导了电极移动后有效缝隙宽度的表达式,提出了可防电极接触短路的微小圆孔状凹陷设计,并给出了加入凹陷后的有效缝隙宽度表达式。通过ANSYS仿真结果可知,分别加载2.10 V和66.38 V偏置电压后,0.1μm和1μm电极-圆盘缝隙缩小为0.0016μm和0.01μm。对于0.1~1.1μm缝隙谐振器,串联动态电阻变为原来的10 8倍以下。

控制中国汽车交通燃油消耗和温室气体排放的技术选择与政策体系

作者: 许光清 邹骥 杨宝路 冯相昭 郑露蓉 来源:电子与信息学报 日期: 2023-02-01 人气:4
控制中国汽车交通燃油消耗和温室气体排放的技术选择与政策体系
中国的汽车交通面临着燃油短缺和温室气体排放上升的双重压力,本文从中国经济发展的背景和中国汽车平均燃油消耗量的国际差距入手,通过分析汽车行业的技术选择,建立了汽车交通的燃油消耗和温室气体排放的分析框架。分析后认为,要控制中国汽车交通的燃油消耗和温室气体排放,就要运用一系列技术手段和政策手段控制汽车保有量、降低汽车平均行驶里程、提高单车的燃油经济性水平和降低汽车排放水平。最后,对所提出的政策体系进行了分析和评价。

半空间电大导体目标散射的高频分析方法

作者: 李晓峰 谢拥军 王元源 来源:电子与信息学报 日期: 2023-01-10 人气:5338
半空间电大导体目标散射的高频分析方法
该文研究了半空间电大尺寸导体目标散射的高频求解方法。将半空间并矢格林函数引入物理光学方法中,对半空间环境影响进行考虑,推导出半空间物理光学分析方法,并结合图形电磁学(GRECO),对半空间电大导体目标进行消隐判断,提取像素面元法矢量和深度缓存等有效信息,快速有效地计算了半空间导体目标的雷达散射截面(RCS),数值结果证明该文方法的有效性和准确性。
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