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基于串行E2PROM存储式压力计研究

作者: 王捷 艾红 来源:仪器仪表学报 日期: 2024-07-05 人气:15
基于串行E2PROM存储式压力计研究
文中介绍了用单片机实现存储式压力计的设计原理.对存储式压力计硬件电路的组成进行了说明.重点研究了串行E2PROM芯片读写的工作原理与软件编程.与以往使用的并行接口存储器芯片设计相比,所用串行存储器芯片体积小,硬件电路设计简单,使用方便,性能稳定.

振弦式传感器电子标签管理系统的设计与实现

作者: 蹇小平 吴意琴 张卫钢 来源:现代电子技术 日期: 2024-05-31 人气:13
振弦式传感器电子标签管理系统的设计与实现
振弦式传感器性能参数离散性很大,出厂时必须单独标定,并将编号写在一个套管上作为标签套在每个传感器的电缆上。在应用中,由于人为因素以及受施工环境的影响,标签很容易磨损或丢失,从而导致传感器因参数不可知而成为废品。为此,设计了一个应用系统,将传感器相关数据写入E^2PROM芯片,然后置入传感器内部,形成一个电子标签,这样,即使外套标签磨损或丢失,依然可以利用手持设备从电子标签中读出传感器编号和参数,解决了应用中的一大难题。

基于AT91X40系列的手持式触摸屏

作者: 李建海 刘迪 孙艳丽 来源:电子设计工程 日期: 2022-07-12 人气:778
基于AT91X40系列的手持式触摸屏
基于当前手持式触摸屏稳定性不高,性能不可靠的状况,采用AT91X40系列微控制器作为控制芯片,由于该芯片功能强大,集成度高,处理数据能力强,稳定性高,所以基于AT91X40系列的手持式触摸屏具有体积小巧,功能强大,操作简便等特点。手持式触摸屏的显示和输入设备选用了ADS7843和SED1335两种主流触摸和LCD显示芯片。通过现场的实验验证,基于AT91X40系列的手持式触摸屏稳定性高,工作可靠,具有实际应用价值。

单片机实现对CF卡的读写

作者: 郭振武 李维祥 王文博 来源:单片机与嵌入式系统应用 日期: 2022-07-04 人气:11
单片机实现对CF卡的读写
CF卡是一种包含了控制器和大容量Flash存储器的标准器件,具有容量大、体积小、高性能、携带方便等优点,已广泛应用在数据采集系统和许多消费类电子产品中.本文详细介绍CF卡在单片机系统中的硬件接口电路,以及单片机对CF卡进行标准文件读写的实现,且写入的文件能被Windows操作系统读写.

基于AT90S8515单片机的瞬变信号捕获与存储器

作者: 徐大诚 来源:电子技术应用 日期: 2022-07-01 人气:3
基于AT90S8515单片机的瞬变信号捕获与存储器
介绍一种基于AT90S8515单片机的瞬变信号捕获与存储器.利用该单片机的高速性能,实现与高速A/D的连接,并将捕获信号由X轴、Y轴输出,显示在CRT上,同时实现数据的串口输出.

基于TMS320C6416T的数据采集存储系统设计

作者: 刘毅男 张胜修 吴雪达 来源:国外电子元器件 日期: 2022-06-28 人气:2
基于TMS320C6416T的数据采集存储系统设计
模数转换是数字信号处理的重要前提和关键环节.设计了基于TMS320C6416T型DSP和THS12082型A/D转换器的数据采集存储系统。实验表明,该高速数据采集存储系统具有高速的DSP特性,可广泛应用于雷达、通信、控制、自动化等领域。

外挂Flash的TMS320VC5409引导装载设计

作者: 艾礼科 来源:单片机与嵌入式系统应用 日期: 2022-06-23 人气:5
外挂Flash的TMS320VC5409引导装载设计
TI的5000系列DSP提供多种引导装载模式,主要包括HPI引导装载、串行EEPROM引导装载、并行引导装载、串行口引导转载、I/O口引导装载等,其中使用Flash的并行引导装载是最常用的一种,使用该种方法可以尽快地开发出样机,是加快开发进度的首选.以下将详细介绍并行引导装载的过程,其它引导过程可参考TI公司有关Bootloader的技术资料.

加密存储芯片AT88SC1616的原理和应用技术

作者: 王彦文 薄勇 孙素丽 来源:单片机与嵌入式系统应用 日期: 2022-06-23 人气:5
加密存储芯片AT88SC1616的原理和应用技术
从加密存储芯片AT88SC1616内部结构出发,详细介绍该芯片的功能、特点和基本工作原理;给出通用的硬件接口电路和软件编程实现;讨论AT88SC1616在单片机与嵌入式系统中的应用。

掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究

作者: 李静玉 林青 章婷 邓朝勇 来源:发光学报 日期: 2021-04-16 人气:95
掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究
以PS(聚苯乙烯)和PC61BM([6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯)为活性材料,通过加入导电性不同的缓冲层材料,优化了阻变存储器件的开关比。制备时分别以金纳米粒子(Au-NPs)、聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)材料作为器件的缓冲层,得到了开关比可调、存储机制不同的电双稳态器件。测试结果发现缓冲层材料导电性是影响器件开关比的关键因素,当缓冲层材料从绝缘性材料PVP换为导电性良好的金纳米粒子,其开关比从102逐渐增大到105。另外对于不同结构的存储机制,通过电流电压拟合曲线和能带原理图分析,发现缓冲层材料的导电性质及能级匹配是影响器件存储机制的重要因素。
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