采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构（MQW）,研究了Cl2/H2电感耦合等离子体（ICP）刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积（MOCVD）外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈（DFB）激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。