在玻璃基体上，采用射频磁控溅射方法在不同的基体温度下制备了TiO2薄膜，然后在薄膜中注入注量分别为5×10^16,1×10^17和5×10^17/cm^2的N离子以制备N掺杂的TiO2薄膜。X射线衍射结果表明：制备出的TiO2薄膜为锐钛矿型。X射线光电子能谱研究结果表明：注入的N离子与TiO2晶粒相互作用，形成了含氮的TiOxN2-x化合物，从而改变了TiO2薄膜的吸收边；随N离子注量增加，吸收边移动更明显；同时．由于氮离子注入产生的辐照缺陷使TiO2薄膜在紫外和可见光区的吸收也明显增强。

采用电子束蒸发法制备了单层TiO2薄膜,控制O2流量从10mL/min以步长10mL/min递增至50mL/min（标况下）。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面型变化;采用Stoney公式计算出残余应力,分析了不同O2压下残余应力的变化。在本实验条件下,TiO2薄膜的应力随O2的增大,张应力先增大后减小;随O2压继续增大,由张应力逐渐过渡到压应力;O2压过大时,压应力减小。因此,可以通过改变O2压来控制薄膜的应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射（XRD）谱发现,薄膜结构均为非晶态。