该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）低噪声放大器（LNA）。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金（TiSi2）来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

讨论噪声系数量值的复现及其合成标准不确定度，同时给出校准噪声系数测试仪时的测量结果的扩展不确定度。

本文简单介绍了噪声系数的测量原理及影响测量不确定度的各种因素。测试系统本机的噪声系数直接影响着噪声系数测量不确定度,并且随着测试系统噪声系数的增加,测量不确定度也随之增加;详细论述了一种减小噪声系数测量不确定的方法,通过选择适当低噪声前置放大器,可使测试系统的噪声系数对测量不确定的影响降到一个最小程度。最终举例说明了低噪声前置放大器的选择方法,并总结了前置放大器的应用。

论述了噪声系数分析仪的工作原理和噪声系数最基本的测量方法——Y因子法。介绍了噪声系数分析仪常见故障的维修方法及其关键技术。尤其是HP8970B噪声分析仪，送生产厂家维修，费用比较昂贵。摸索出了一套简便高效的维修方法，用自行设计的放大器有关电路替代原件，成功地进行了修复，对此进行了重点介绍。

为了降低接收系统中微波放大器的噪声，提高接收机灵敏度，文中介绍了微波低噪声放大器的技术指标和设计方法。并利用ADS软件对微波低噪声放大器的设计进行了优化和仿真。最后使微波低噪声放大器的设计结果达到了设计期望值。

针对通信系统中信噪比的改善问题,分析了低噪声放大器的电路形式,确定了器件的选取方法,阐述了低噪声放大器的设计思路,介绍了使用ADS软件进行X波段低噪声放大器的设计。利用Fujits公司的FHX13X和Transcom公司的TC1201,两级级联,并对电路进行仿真和优化,判定放大器的稳定性。通过软件修正得到最终电路设计,经过最终数据分析,总结设计过程中的关键技术。

讨论了超高频（UHF）波段宽带、高增益低噪声放大器的设计方法及设计过程,阐述了器件的选择、电路形式和元件初值的确定。利用高级设计系统（Advanced Design System,ADS）进行优化,并给出优化后的仿真结果。设计低噪声放大器,还要考虑结构和工艺。给出主要技术指标的测试结果,与仿真结果比较一致。结果表明,基于ADS软件仿真设计地低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高。

介绍了宽带放大器的设计方法和负反馈技术。选用增益高、噪声小的高电子迁移率晶体管（HEMT）ATF54143,利用负反馈和宽带匹配技术,设计制作了一个高增益低噪声放大器,并借助于安捷伦公司的微波电路仿真软件ADS进行仿真和优化。测试表明,在50-300 MHz的频率范围内,低噪声放大器的增益大于22 dB,平坦度小于±0.3 dB,噪声系数小于1.25,输入驻波小于1.4,输出驻波小于1.3。