设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关，开关由600μm厚的半绝缘GaAs晶片制成，电极间隙为20mm。在不同的直流偏置电压下，使用波长为1064nm、能量为9．9mJ的激光脉冲触发使开关导通，开关置于0．2MPa的sFs气体环境中。在施加直流50kV电压的情况下，使用Rogowski线圈测得开关的最大导通电流为1．1kA。对实验结果进行分析表明：随着初始偏置电压的升高，回路流过的电荷与电容初始储存的电荷的比值不断提高，但都没有达到100％，即非线性模式下光导开关的关断原因并不是由于外电路的能量已经耗尽。对非本征光电导的情况，计算出开关的通态电阻为2．71Ω。

为了进一步提高传感器的灵敏度，提出了利用GaAs半导体材料来突破硅的极限，阐明了GaAs材料的优越特性和发展GaAs基MEMS的必要性。概述了GaAs微机械加工的刻蚀技术、体微机械加工技术和表面微机械加工技术的特点，对相应的GaAs微机械加工工艺进行了举例分析，并介绍了国内首次制作的GaAs基MEMS微结构，为GaAs MEMS的进一步发展奠定了基础。