采用微机电系统（MEMS）技术制作了悬臂梁式压电微拾振器，该技术主要包括：sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为：长2000μm，宽600μm，硅膜厚度12μm，PZT压电膜厚1．5μm，Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz，适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下，电压输出达562mV。

采用微机电系统（MEMS）技术制作了悬臂梁式压电微拾振器，该技术主要包括：sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为：长2000μm，宽600μm，硅膜厚度12μm，PZT压电膜厚1．5μm，Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz，适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下，电压输出达562mV。

采用sol-gel方法制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Ti/Pt/PZT/Ti/Pt形式的拾振器敏感元结构.基于半导体光刻技术,通过干法刻蚀电极和化学湿法刻蚀PZT厚膜等技术,成功地实现了敏感元的微图形化,解决了Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的PZT膜形貌不好和上电极容易起壳等问题,为基于PZT厚膜的高性能拾振器的研制打下了良好的基础.