在纳米压印光刻中，为了减小模具与晶片的平行度误差，将精对正光栅标记的相对误差校正到半栅距范围之内，并建立了点光源映射的数学模型，对模具空间位姿的投影进行图像识别．在算法设计的基础上，建立了纳米压印光刻系统中的粗对正系统及其控制流程，通过仿真计算，可以将模型的转角计算精度控制在10^-6 rad以下，位置偏移量计算精度控制在1nm以下，所建立的粗对正系统的检测精度可达到1μm以下，因此满足了压印光刻中下一步精对正系统的要求．