在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150ns脉冲辐照下的2倍，CMOS存储器6264的翻转阚值在20ns脉冲宽度辐照下为150ns脉冲宽度辐照下的3倍。

就工程力学课程教学中如何实施素质教育的问题进行了研究和探讨.指出在工程力学课程教学中要结合课程内容及研究方法的特点,以培养学生"终身学习"的能力;培养学生提出问题、分析问题与解决问题的能力;培养学生的创新意识和创新能力为主线进行教学.并就如何实施进行了研究和探讨.