在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150ns脉冲辐照下的2倍，CMOS存储器6264的翻转阚值在20ns脉冲宽度辐照下为150ns脉冲宽度辐照下的3倍。

地面模拟研究了低能质子和电子对铝膜反射镜光学性能的影响。结果表明，低能质子辐照后，在200～800nm波长范围内铝膜反射镜反射率随辐照剂量增加而下降。质子辐照能量越低射程越短，则反射镜表面膜层中质子浓度越大损伤也更为明显。电子辐照射程较深，辐照作用对铝膜反射镜光学性能影响很小。

在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列（FPGA）器件空间辐照效应失效机理的基础上，详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理，给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数，其长线传输距离达到50m以上，最大可测门数达到了100万门，为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。

文章利用CPLD及DSP作为系统的核心部件，设计了最大可测256MB、32位的SDRAM辐照效应在线测试系统。系统可以动态监测辐照期间SDRAM的翻转地址、翻转数等参数，基本满足辐照效应的测试要求。