根据总积分散射理论自制了半球式总积分散射仪，建立了系统规范的测试方法，并应用其对工程中SiC基底表面改性的效果进行了相关检测和评估。改性后RB-SiC和S-SiC基底的散射系数分别降低到2．86％和1．53％，已接近于抛光良好的微晶玻璃的水平（1．38％）。该散射仪的优点是操作简单、方便快捷、不接触样品、对表面无损害。通过对测试数据的分析可知，从散射特性角度对SiC基底表面改性效果进行评估是合理有效的。把相关测试结果与分光光度计的测试结果对比，测量偏差在1．1％左右，说明该总积分散射仪的测试结果准确可靠。

为了满足空间用大口径、复杂轻量化结构RB-SiC基底反射镜对高性能表面质量的需求,针对RB-SiC基底的特性,提出了改进表面改性工艺的方法。采用高能量考夫曼离子源辅助,预先对基底进行碳化和加镀C缓冲层,并制备Si改性涂层的方法对RB-SiC基底进行了表面改性。测试结果表明：与单纯霍尔离子源辅助方法相比,该工艺方法制备的Si改性涂层生长得更加致密、均匀,抛光特性良好;改性抛光后表面粗糙度（rms）降低到0.635 nm,达到了S-SiC基底的水平;改性后RB-SiC基底的反射率明显提高,达到了抛光良好的微晶玻璃的水平。结果表明,该工艺方法是提高RB-SiC基底表面改性效果的一种合理有效的方法。

为了消除SiC反射镜的固有缺陷,提高反射式光学系统的信噪比,使用SiC表面改性技术对同轴三反射（TMC）光学系统的SiC反射镜进行了处理。首先,应用等离子体辅助沉积（PIAD）技术沉积了一层Si改性层,接着对改性层进行精密抛光,然后在反射镜表面镀制Ag膜和增强膜,最后获得了表面改性对TMC光学系统信噪比的影响。Wyko轮廓仪测试表明,SiC反射镜的粗糙度Ra由10.42nm降低到了0.95nm;镀制高反射膜后,主镜、次镜、三镜及折叠镜在0.5～0.8μm可见光波段的反射率＆gt;98%。计算结果表明,应用了表面改性技术后TMC反射式光学系统的信噪比提高了5%以上,说明SiC表面改性技术是一种提高TMC光学系统信噪比的有效方法。

利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅（RB-SiC）和常压烧结碳化硅（Sintered SiC,S-SiC）基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性,两种基底的表面粗糙度（rms）大幅地降低,镀银后的反射率有较大地提高,基底表面光学质量已满足工程应用要求。在相同工艺条件下,S-SiC基底改性后效果好于RB-SiC基底的情况,主要是因为Si膜在两种基底表面生长情况不同所致。

根据空间应用项目需求，采用等离子辅助电子束蒸发方法对RB—SiC基底进行了表面改性，并对表面改性的性能和可靠性进行了相关评估．经测试，改性后RB—SiC基底表面粗糙度（rms）降低到0．632nm；散射系数降低到2．81％，500～1000nm范围的平均反射率提高到97．05％，已经接近于抛光良好的微晶玻璃的水平；改性涂层温度稳定性高，与基底结合牢固；加工后，面形精度达到0．1192（PV）和0．0142（rms），λ=632．8nm．评估结果表明，这种SiC基底表面改性的工艺是可靠的，其光学性能满足空间高质量光学系统的要求，适宜空间环境应用．