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一种测量Si/SiO2界面残余应力的微结构应变计

作者: 姜勇 唐祯安 申爽 王立鼎 来源:仪器仪表学报 日期: 2024-03-15 人气:27
一种测量Si/SiO2界面残余应力的微结构应变计
借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅-二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.
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