用射频等离子增强化学气相沉积方法（RF—PECVD）制备磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，研究了辉光放电气体压强（20-80Pa）对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响；利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a—Si：H薄膜微结构的影响，并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明：随着辉光放电气体压强的增加，a-Si：H薄膜的暗电导逐步减小，但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大；同时，薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。

在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统,采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生长氮化硅薄膜的基本物化性质以及在沉积过程中反应压强、反应温度、硅烷氨气流量比和微波功率对薄膜性质的影响。通过大量实验,分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数,并得出制作减反射膜的优化工艺。

利用计算流体动力学（CFD）软件，按照现有的工艺参数对某管式等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备腔体进行三维数值模拟分析，研究了不同流量下工艺参数下PECVD设备腔体内部流场的整体分布，并对石英片之间反应区域的速度分布进行详细分析，并提出了多孔结构在腔体内部的应用。计算结果表明该工艺参数下腔体内部整体流动稳定，生长区流速平缓对于薄膜生长非常有利，在反应腔前端加入多孔区有利于增加晶片间的流动扩散，提高薄膜沉积率。数值模拟仿真为PECVD设备制造提供一定的理论指导依据。