磁路结构设计的优劣决定了磁流变（MR）阻尼器的性能品质。应用ANSYS的参数化编程语言（APDL）对MR阻尼器的磁路结构进行参数化建模。通过设置磁路结构各尺寸为设计变量、以模型中最大磁感应强度值为约束条件、以阻尼通道间的最大磁感应强度值为目标函数进行优化分析。分析结果表明：优化后的磁路结构在阻尼通道处的磁感应强度提高了0.32倍且分布更加均匀;优化后磁路结构的体积减小了7%使磁路结构更加紧凑。说明APDL优化分析是一种设计磁路结构的切实高效的方法。