研究了高能电子，高能质子对ＶＯ２微晶玻璃辐照前后光性质和面形光学稳定性的影响，研究结果表明，高能电子辐照能引起微晶玻璃面形明显变化，且使ＶＯ２微晶玻璃强烈着色。高能质子辐照没引起面形明显变化，高能质子辐照对反射光谱特性没有影响。

为研制加速器电子束邮件灭菌安全系统,用Monte Carlo(MCNP)程序模拟计算了4.5 MeV电子束辐照复印纸和聚苯乙烯时吸收剂量随深度的变化.计算分析了邮件灭菌中电子束的能量、入射角度、复印纸厚度及上下铝衬底材料等对辐照效果的影响.结果表明,受照物质中的吸收剂量呈先增后减的趋势; 电子束能量越高,穿透深度越大,吸收剂量峰值变低; 入射角度变化,穿透深度不变; 衬底材料可提高受照物质上表面的吸收剂量.结果与实验符合,验证了模拟的可信性,也显示出MCNP计算的速度快、效率高、应用灵活等优点.

为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时，应该以什么参数作为评判依据的问题，对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究。通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化，分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。通过分析，指出了当前屏蔽材料封装存在的不足，以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流。

为了研究核退役装备在核辐射环境下作业时图像监控设备的工作状态等数据,对用在核退役作业现场的某国产CMOS图像传感器进行γ辐照实验。采集得到辐照时的γ射线对CMOS图像传感器所输出的暗图像造成的干扰数据,并研究γ射线对CMOS图像传感器的性能参数影响。实验结果表明:辐射射线的总剂量效应使得传感器中暗电流增大,传感器输出的图像里脉冲颗粒噪声与平均灰度值会随着辐照剂量的变化而发生变化。