以酞菁铁（Fe（Ⅱ）Pc）和酞菁钴（Co（Ⅱ）Pc）的二元混合物为催化剂前驱体，硫粉（S粉）为生长促进剂，采用化学气相沉积（CVD）方法，在900℃～950℃下制备出了大面积的直立碳纳米管。为了研究CVD合成直立碳纳米管的影响因素，采用了场发射扫描电镜（FESEM）、高分辨透射电镜以及拉曼光谱仪（Raman）对产物进行了观察分析。结果表明，酞菁组分与S粉的加入量对碳纳米管的直立形貌有着很大的影响，当采用二元混合酞菁，且Fe（Ⅱ）Pc、Co（Ⅱ）Pc与S质量比为1：1：2时，可以获得大面积的直立碳纳米管，过高或过低的S粉的添加量都不能得到大面积的直立碳纳米管。文中还探讨了S粉促进酞菁裂解直立碳纳米管可能的生长机理。