为了改善星载存储器的抗SEU性能,增加星载存储器在空间使用的灵活性,文中基于ACTEL公司的ProAsic系列A3P400FPGA并采用扩展汉明码和TMR两种检错纠错方法相结合的方式,同时使用可变内存配置方案,设计了一种新型的抗SEU存储器电路。与传统的EDAC芯片相比,本设计不仅可以对出错数据进行修正而且还可以实时的进行回写。

基于SRAM的FPGA对于空间粒子辐射非常敏感,很容易产生软故障,所以对基于FPGA的电子系统采取容错措施以防止此类故障的出现是非常重要的。三模冗余（TMR）方法以其实现的简单性和效果的可靠性而被广泛用于对单粒子翻转（SEU）进行容错处理。但传统TMR方法存在系统硬件资源消耗较多且功耗较大等问题。总结了传统TMR方法存在的问题,分析了一些近年来出现的改进的TMR方法的优劣,针对其存在问题指出了改进策略,并展望了TMR技术的发展趋势。