设计了一种可在低电源电压下工作,具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理,对传统电路做出了改进。采用UMC0.25μmCMOS工艺模型,使用Hspice进行模拟,设计的基准源输出电压为900mV,电源电压可降低到1.1V,温度系数为8.1×10-6/℃。

本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR（电源抑制）带隙基准。此带隙基准的1．186V输出电压在低频时PSR为-145dB，在0-1GHz频带内，最高PSR为-36dB。在-50-150℃内，1．186V基准的温漂为7．5ppm／℃。

针对DC—DC电源管理系统中所必须的欠压锁存（UVLO）功能，提出一种改进的欠压锁存电路。所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下，实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定。整个电路采用CSMC0．5μmBCD工艺设计，使用HSpice软件仿真，结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点。

针对电压基准源对流水线结构的高速高精度ADC的性能影响进行了建模分析，提出了一种低压条件下具有低温度系数和较高电源抑制比的电压基准源电路。该电路采用简单的二阶曲率补偿技术，并加入了PSR提高电路和启动电路。同时给出了采用TSMC 1．8V0．18μm标准CMOS工艺和Hspice仿真软件的仿真结果。

基于TSMC0.5μm CMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿,设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为13.2×10-6/℃,低频时的电源抑制为-98dB,静态工作电流为3μA。