该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）低噪声放大器（LNA）。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金（TiSi2）来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

在天线单元设计中采用了高频、低噪声放大器,以减弱天线热噪声及前面几级单元电路对接收机性能的影响;基于超外差式电路结构、镜频抑制和信道选择原理,选用GP2010芯片实现了射频单元的三级变频方案,并介绍了高稳定度本振信号的合成和采样量化器的工作原理,得到了导航电文相关提取所需要的二进制数字中频卫星信号.

为了使无线收发系统能方便地应用于无线传感器网络、蓝牙技术与无限局域网（WLAN）等领域,采用了片上系统设计方法,将无线收发系统设计在一块单芯片上,使其最小化。给出了单芯片无线电的基本结构及电路实现的若干组成部分（混频器,低噪音放大器,功率放大器等）的解决方案。电路具有体积小,低功耗,成本低,可靠性高的特点。

从根本上大家已经认同WiMAX技术会在2007年开始集成到笔记本电脑和手持式设备中，WiMAX的移动化版本802．16e使用了2～6GHz的频带来提供移动设备非视距范围（NLOS）的数据传输能力，因此WiMAX接收链设计工程师所面对的挑战主要是多种不同传输路径所造成接收信号电平的宽广动态范围。

讨论了超高频（UHF）波段宽带、高增益低噪声放大器的设计方法及设计过程,阐述了器件的选择、电路形式和元件初值的确定。利用高级设计系统（Advanced Design System,ADS）进行优化,并给出优化后的仿真结果。设计低噪声放大器,还要考虑结构和工艺。给出主要技术指标的测试结果,与仿真结果比较一致。结果表明,基于ADS软件仿真设计地低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高。

现在很多单位从事低噪声放大器（LNA）的设计工作，要求LNA有较低的输入功率，有时输入功率甚至小于-60dBm。针对这样的LNA，要想准确地测量它的4个S参数，将变得十分困难。但是合理地设置网络分析仪每个输出端口的功率、中频带宽和衰减器以及高精度校准，就可以准确地测量LNA的4个S参数。本文以安捷伦PNA-X网络分析仪为例，讲述如何提高LNA的测量精度。

介绍了宽带放大器的设计方法和负反馈技术。选用增益高、噪声小的高电子迁移率晶体管（HEMT）ATF54143,利用负反馈和宽带匹配技术,设计制作了一个高增益低噪声放大器,并借助于安捷伦公司的微波电路仿真软件ADS进行仿真和优化。测试表明,在50-300 MHz的频率范围内,低噪声放大器的增益大于22 dB,平坦度小于±0.3 dB,噪声系数小于1.25,输入驻波小于1.4,输出驻波小于1.3。

介绍了利用Agilent公司的ADS仿真软件进行仿真和设计低噪声放大器的方法和步骤。首先简介了低噪声放大器的设计理论，然后使用HEMT芯片ATF-33143详细阐述了基于ADS仿真的低噪声放大器的设计步骤，最后给出了仿真结果，对于低噪声放大器的设计研究有一定的参考价值。