基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础.
基于共振隧穿微结构的GaAs基加速度计
介绍了一种基于共振隧穿微结构的GaAs基四梁式加速度计,设计了共振隧穿微结构以及GaAs基加速度计的结构,分析了加速度计的力学特性,讨论了加速度计的加工工艺,并利用该工艺在国内首次制作出加速度计。在分析了串联电阻的影响后,设计了加速度计的输出信号提取电路,并通过实验测试了该加速度计的线性度和灵敏度。结果表明:该加速度计的输出具有较好的线性度,而灵敏度比硅材料的最大压阻灵敏度高一个数量级,适合于高精度测试场合。
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