根据锆钛酸铅压电陶瓷的逆压电效应。设计了以８０３１单片机为核心的压电陶瓷堆微位移器提高了ＰＺＴ的线性，从而满足了在天文自适应系统中所要求的精确微位的应用。

应用基于原子力显微镜与铁电分析仪联用的方法，在无顶电极的情况下，直接测试了PZT微阵列格点的电滞回线。结果表明，应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能够表征铁电电容的电滞回线，并且可以定性地评价薄膜微电容的铁电特性。

研究了一种用于制备硅基压电悬臂梁的PZT厚膜溶胶-凝胶工艺.该工艺通过采用交替旋涂法,将PZT溶胶与PZT纳米粉混合形成浆料,再和澄清PZT溶胶交替涂覆在Au/Cr/SiO2/Si的硅基悬臂梁结构上,当达到所需的厚度后再进行热处理.实验证明,热处理温度在650℃,处理时间15 min时,XRD结构表征显示PZT厚膜获得钙钛矿相结构,SEM中厚膜断面清晰,表面紧密、均匀、平整.铁电性能测试表明矫顽场为50kV/cm,饱和极化强度为54μC/cm^2,剩余极化强度为30μC/cm^2.同时,硅基悬臂梁结构采用典型的半导体光刻工艺,利用BHF/HCl溶液成功地刻蚀了PZT厚膜,并运用微机械加工技术刻蚀出硅悬臂梁结构.

采用脉冲激光沉积（PLD）法，在制备有SrRuO3底电极的SrTiO3（001）基片上生长高质量的NiFe2O4／Pb（Zr0.52Ti0.48）O3双层复合磁电薄膜。用X-射线衍射（XRD）对复合薄膜的微结构进行详细表征，结果表明，复合薄膜中NiFe2O4、Pb（Zr0.52Ti0.48）O3结晶良好，且具有单一的面外取向，φ扫描模式显示NiFe2O3、Pb（Zr0.82Ti0.48）O3均延SrTiO3（001）方向外延生长。磁电性能表征结果表明，由于界面应力效应的作用，复合薄膜的铁电性较单层Pb（Zr0.82Ti0.48）O3明显减弱，而铁磁性基本保持NiFe2O3的软磁特性。