叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能x射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流，采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm，灵敏面积分别为5mm^2、10mm^2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm^2的探测器在室温及温差电致冷条件下对拍Fe5．9keV x射线的能谱响应测量结果。

叙述了用平面工艺技术制备大面积Si带电粒子探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流，采用了表面钝化技术。文章分别给出了厚度300μm、灵敏区直径20mm以及厚度500Nn、灵敏区直径40mm探测器在室温下漏电流测量结果，以及探测器在室温条件下对241Am5．486MeVα粒子的能谱响应测量结果。