成像速度是中子冷阴极放电器（CCD）数字照相系统的主要性能参数。根据中子数字照相的原理、光学成像的基本关系式和CCD的特性，提出了一种基于CCD的中子数字照相系统的成像速度理论推算方法，对SPRR-300中子数字照相系统成像速度进行了计算，并与试验结果相比较证明，理论计算与试验基本吻合，计算方法可信。

以中子转换屏发光机理建立数学模型，计算了LiF—ZnS中子转换屏的各项参数对成像性能的影响。用不同种类荧光粉制备了多块不同厚度和材料成分的快中子转换屏进行性能测试，实验结果显示，14MeV快中子转换屏最佳厚度为3mm左右，ZnS和粘合剂的最佳重量比为1：1-2：1。对快中子转换屏和塑料闪烁体等中子探测屏的性能进行了实验测试和对比，给出了各种探测屏的性能差异和适用范围。

热中子照相技术在检测含氢材料、重金属样品等方面是X射线等其它无损检测技术的有益补充，热中子层析技术研究在国内尚是空白，实验研究条件欠缺且代价高昂，通过仿真研究再过渡到实验研究，将有效降低研究成本，提高研究效率。文章根据中子层析照相基本原理，设计模拟样品，采用MCNP仿真计算的方法获取了样品中子投影图像，利用C＋＋Builder研发中子层析数据获取程序和反投影滤波算法层析重建程序，重建了样品二维断面图像，样品二维断面图像与实际样品一致，证明了所采用的仿真研究流程合理可行，为中子层析照相技术的深入研究奠定了基础。