为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线。仿真与理论结果相比较表明：PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好。从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性。

为了拓宽电流模单元电路结构在低压低功耗射频集成电路中的应用，研究把第二代电流传输器用作电抗器件和频率变换电路。以第二代电流传输器为核心，辅助予外围电路，构造从输入到输出端口不同性质传输阻抗的有源电容倍增器和有源电感，并且基于第二代电流传输器组合结构差异的分析，设计了集成频率变换电路。从理论上，推出有源电容倍增器和有源电感结构的合理性。仿真集成频率变换电路，结果袁明对40MHz以下正弦波倍频功能正确，且以100kHz正弦波为调制信号和以10MHz的正弦波为载波获得了双边带调幅信号。这为射频集成电路设计提供了新的思路。