在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150ns脉冲辐照下的2倍，CMOS存储器6264的翻转阚值在20ns脉冲宽度辐照下为150ns脉冲宽度辐照下的3倍。

本文重点介绍了伺服驱动器中电流采样电路的设计,给出了两种电流采样设计方案,并通过实验验证了两种设计的可行性且对其实验结果进行了对比分析。实验结果表明,使IR21 75构建的采样电路更简单,方便,稳定。