磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料。InP由于性能优异,在高频电子器件及红外光电器件领域的应用日趋增多。目前,磷化铟器件的价格远高于砷化镓器件,其主要原因是磷化铟单晶成品率低,以及晶圆尺寸较小造成外延和器件工艺成本居高不下。增大InP单晶的直径对降低晶圆及半导体工艺成本至关重要。制备大尺寸InP单晶的主要难点是提高晶体的成品率和降低晶体的应力。目前行业内通常使用垂直梯度凝固(Vertical gradient freeze,VGF)法和液封直拉(Liquid Encapsulated Czochralski,LEC)法制备InP。VGF法在制备6英寸(15.24 cm)InP方面鲜有建树,LEC法制备的晶体往往具有更高的应力和位错密度。本研究展示了半密封直拉(Semi-Sealed Czochralski,SSC)法在生长大直径化合物半导体材料方面的优势,采用数值模拟方法分析了LEC法和SSC法中熔体、晶体、氧化硼和气氛中的温度分布,重点...

针对高压共轨柴油发动机在全工况范围轨压控制的动态响应和跟随性的需求,通过分析轨压工作原理,提出轨压系统控制策略,设计一种动态分级系数的PID轨压控制算法。该控制算法经过多项改进,包括轨压采集、前馈控制、PID控制和IMV阀驱动等。采用基于模型的设计方法,通过Simulink软件工具对轨压控制算法进行建模。利用代码自动生成技术,将生成的轨压控制算法代码集成到发动机控制器中,开展了发动机台架试验。试验结果表明:该轨压控制算法具有良好的跟随性和响应速度,且轨压控制较为平稳;在稳态工况下,命令轨压与反馈轨压差值在2.0 MPa以内;在动态工况下,命令轨压与反馈轨压差值在3.0 MPa以内。

根据测量门架满载变形量的实际需求，使用TRIZ方法，运用系统分析找到问题入手点，通过物一场分析找到初步方案，研究了技术系统中存在的矛盾，确定了对应的矛盾矩阵和解决原理，找到了创新设计的多个可行方向，并结合自身实践经验和工程实际确定了最终方案，通过实际试用，效果良好，满足了实际需求。