针对MEMS仿生矢量水听器灵敏度和频带相互制约，不能同时满足宽频带高灵敏度测量的问题，在单个MEMS矢量水听器的基础上，设计了由四个单元构成的2×2单片集成微敏感结构阵列，实现了水听器的高灵敏度和宽频带。通过理论分析和ANSYS仿真分析，确定阵列微结构的尺寸，采用硅微机械加工工艺完成了阵列微结构的加工，最后在水声一级计量站对封装好的水听器进行了灵敏度和指向性校准测试。测试结果表明：该阵列式仿生矢量水听器未加前置放大时灵敏度达到-189dB，频响范围20～5000HZ，具有良好的“8”字型指向性。

描述了一种采用MEMS技术加工的微型气相色谱柱，这种色谱柱采用深刻蚀技术加工出色谱通道，再与Pyrex7740玻璃进行键合密封。色谱柱全长6m，色谱通道截面为矩形（宽100μm，深100μm），针对苯和甲苯的混合气进行了分离试验，理论塔板数达到了4800，分离时间为185s。

介绍了用于加工太赫兹波元件的微机械加工技术（铣削、放电加工、电铸、湿法腐蚀Si、干法腐蚀Si、厚光刻胶：SU-8和LIGA）及其最新结果。重点描述了应用于太赫兹波的器件和集成电路,如将可用于太赫兹波的各种新颖二极管、半导体纳米器件、新的高电子迁移率晶体管、毫米波集成电路、量子器件、红外器件、量子级联激光器（单极级间跃迁激光器）。基于带间跃迁量子机理的半导体器件（譬如量子级联激光器）的频率极限高于与半导体能带隙相关器件的频率,其大多数体半导体的频率可以达到10THz以上。但是,基于经典的电子扩散传输机理的二极管、三极管的高频极限则受限于渡越时间和寄生参数RC时间常数。

利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了InGaAs／AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构，通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数，对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析，确定了单量子阱结构作为1．06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系，获得了最高达到57．5％的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试，结果显示研制出的单管激光器室温下在1．5A工作电流下寿命远大于10^4h。

采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤（COD）阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入。载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1W。同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%。

介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路，该电路基于电容一频率转化原理，并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用Pspice对接口电路的误差特性进行了分析，并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出电路的测试结果，测试结果与仿真结果一致，在80～110kPa量程内，接口电路的分辨率为3．77Hz／hPa。

提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构，并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析，特别是基准电路和偏置电路，利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中仿真了采用0．6μm的n阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0V电池充电禁止等功能，可用于单节锂离子电池充电的一级保护。

为了实现对起重机制动器性能试验和质量检测，设计了起重机制动器试验台信号采集系统。系统的温度、扭矩以及转速等反映制动器主要性能的数据都需要通过各种传感器得到，因此作为信号采集系统的重要组成部分传感器具有至关重要的作用。在详细分析系统参数要求以及各个传感器性能的基础上，对温度传感器、扭矩传感器和测速传感器进行了选择，在系统中进行了相关测试并对试验结果进行了分析。试验结果表明，该系统中的传感器选用合理，达到了对制动器主要性能参数的准确检测。