采用反应热蒸发的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）塑料衬底上制备In2O3：Sn（ITO）薄膜。鉴于塑料对温度的敏感性,详细研究了衬底温度对其上沉积的ITO薄膜的微观结构及光电性能的影响,在低温条件下（Ts=140℃）获得电阻率为7.52×10^-4Ωcm,可见光范围内的透过率大于80%和结构特性良好的薄膜,并将其应用于PIN型太阳电池的前电极,获得了转换效率为4.41%的柔性非晶硅（a-Si）薄膜太阳电池。