本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR（电源抑制）带隙基准。此带隙基准的1．186V输出电压在低频时PSR为-145dB，在0-1GHz频带内，最高PSR为-36dB。在-50-150℃内，1．186V基准的温漂为7．5ppm／℃。

针对电压基准源对流水线结构的高速高精度ADC的性能影响进行了建模分析，提出了一种低压条件下具有低温度系数和较高电源抑制比的电压基准源电路。该电路采用简单的二阶曲率补偿技术，并加入了PSR提高电路和启动电路。同时给出了采用TSMC 1．8V0．18μm标准CMOS工艺和Hspice仿真软件的仿真结果。