该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBT）低噪声放大器（LNA）。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金（TiSi2）来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

微机械陀螺的发展趋势是单片集成的三轴陀螺.由于三轴陀螺有三路测控信号需要处理,如果按照传统的单陀螺的处理方式,则线路过于庞大,相互间的干扰也比较严重.本文针对三轴陀螺的工作特点,基于DSP和ARM设计了新的测控系统,较好的解决了上述问题.初步的实验结果表明此方案是可行的.

介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路，该电路基于电容一频率转化原理，并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用Pspice对接口电路的误差特性进行了分析，并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出电路的测试结果，测试结果与仿真结果一致，在80～110kPa量程内，接口电路的分辨率为3．77Hz／hPa。