采用溶胶-凝胶-水热过程制备了氧化硅稳定的氧化锡量子点，然后将其分散到氧化硅溶液中，用旋转涂膜的方法制备光学性能良好的氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜。X射线衍射和高分辨透射电镜表征显示氧化锡量子点具有良好的四方金红石晶型，平均粒径约4．0nm。室温光致发光显示这种氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜在356nm和388nm处分别有很强的激子发光和缺陷态发光。根据透射谱拟合得到了氧化锡量子点薄膜的光学禁带宽度，其值约为3．96eV。

在玻璃基体上，采用射频磁控溅射方法在不同的基体温度下制备了TiO2薄膜，然后在薄膜中注入注量分别为5×10^16,1×10^17和5×10^17/cm^2的N离子以制备N掺杂的TiO2薄膜。X射线衍射结果表明：制备出的TiO2薄膜为锐钛矿型。X射线光电子能谱研究结果表明：注入的N离子与TiO2晶粒相互作用，形成了含氮的TiOxN2-x化合物，从而改变了TiO2薄膜的吸收边；随N离子注量增加，吸收边移动更明显；同时．由于氮离子注入产生的辐照缺陷使TiO2薄膜在紫外和可见光区的吸收也明显增强。