在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列（FPGA）器件空间辐照效应失效机理的基础上，详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理，给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数，其长线传输距离达到50m以上，最大可测门数达到了100万门，为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。

针对特征工艺尺寸为0．6μmNMOS进行了60Co电离辐照试验，分析了MOS器件总剂量辐照效应的原因，详细介绍了处理电离辐照试验数据的方法。建立了总剂量辐照效应的损伤阈值的统计概率模型，估计模型参数并对其进行了验证，结果表明，N型MOS的失效剂量更服从于威布尔函数分布；对不同辐照剂量下的NMOS敏感参数的损伤程度进行了统计分析，结果表明，器件的关态漏电流的增加量服从威布尔分布，关态漏电流在同等置信度下的不确定度随辐照总剂量增大。