为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时，应该以什么参数作为评判依据的问题，对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究。通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化，分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。通过分析，指出了当前屏蔽材料封装存在的不足，以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流。